High-performance terahertz optoelectronic receivers enabled by monolithic integration of SBDs and UTC-PDs: modelling and design Beitrags-Autor:admin Beitrag veröffentlicht:3. Mai 2023 Beitrags-Kategorie:Publications Beitrags-Kommentare:0 Kommentare I. Belio-Apaolaza et al. Submitted Das könnte dir auch gefallen Integrated Ultra-Broadband THz Photodiode with Silicon-photonic Waveguide Interfaces 3. Mai 2023 Structural, optical, and mechanical properties of silicon nitride films deposited by inductively coupled plasma enhanced chemical vapor deposition 7. Oktober 2022 Broadband THz Interconnect for Hybrid Integration of InP and Si Platforms 28. August 2022 Schreibe einen Kommentar Antwort abbrechenKommentarGib deinen Namen oder Benutzernamen zum Kommentieren ein Gib deine E-Mail-Adresse zum Kommentieren ein Gib deine Website-URL ein (optional) Meinen Namen, meine E-Mail-Adresse und meine Website in diesem Browser für die nächste Kommentierung speichern.
Structural, optical, and mechanical properties of silicon nitride films deposited by inductively coupled plasma enhanced chemical vapor deposition 7. Oktober 2022
