Ultra-Broadband THz Transition from CPW to Si Rod Waveguide for Future Tbps On-Chip Communications Beitrags-Autor:admin Beitrag veröffentlicht:7. Oktober 2022 Beitrags-Kategorie:Publications Beitrags-Kommentare:0 Kommentare S. Iwamatsu et al https://duepublico2.uni-due.de/receive/duepublico_mods_00078064 Das könnte dir auch gefallen Broadband THz Interconnect for Hybrid Integration of InP and Si Platforms 28. August 2022 High power waveguide integrated 1.55 µm MUTC-photodiodes 3. Januar 2023 Structural, optical, and mechanical properties of silicon nitride films deposited by inductively coupled plasma enhanced chemical vapor deposition 7. Oktober 2022 Schreibe einen Kommentar Antworten abbrechenKommentierenGib deinen Namen oder Benutzernamen zum Kommentieren ein Gib deine E-Mail-Adresse zum Kommentieren ein Gib deine Website-URL ein (optional) Meinen Namen, meine E-Mail-Adresse und meine Website in diesem Browser für die nächste Kommentierung speichern.
Structural, optical, and mechanical properties of silicon nitride films deposited by inductively coupled plasma enhanced chemical vapor deposition 7. Oktober 2022