Development of an integrated Schottky based heterodyne THz receiver at 300 GHz using power combining approach Beitrags-Autor:admin Beitrag veröffentlicht:7. Oktober 2022 Beitrags-Kategorie:Publications Beitrags-Kommentare:0 Kommentare H. Gohil et. al Das könnte dir auch gefallen Integrated Ultra-Broadband THz Photodiode with Silicon-photonic Waveguide Interfaces 3. Mai 2023 Towards Tbit/s THz communications 7. Oktober 2022 Structural, optical, and mechanical properties of silicon nitride films deposited by inductively coupled plasma enhanced chemical vapor deposition 7. Oktober 2022 Schreibe einen Kommentar Antworten abbrechenKommentierenGib deinen Namen oder Benutzernamen zum Kommentieren ein Gib deine E-Mail-Adresse zum Kommentieren ein Gib deine Website-URL ein (optional) Meinen Namen, meine E-Mail-Adresse und meine Website in diesem Browser für die nächste Kommentierung speichern.
Structural, optical, and mechanical properties of silicon nitride films deposited by inductively coupled plasma enhanced chemical vapor deposition 7. Oktober 2022