Development of an integrated Schottky based heterodyne THz receiver at 300 GHz using power combining approach Beitrags-Autor:admin Beitrag veröffentlicht:7. Oktober 2022 Beitrags-Kategorie:Publications Beitrags-Kommentare:0 Kommentare H. Gohil et. al Das könnte dir auch gefallen Ultra-Broadband THz Transition from CPW to Si Rod Waveguide for Future Tbps On-Chip Communications 7. Oktober 2022 270-320 GHz Low Barrier Schottky Diode Mixer 7. Oktober 2022 Cascaded wideband RoF links with LWA for enabling mobile 5G base stations 7. Oktober 2022 Schreibe einen Kommentar Antworten abbrechenKommentierenGib deinen Namen oder Benutzernamen zum Kommentieren ein Gib deine E-Mail-Adresse zum Kommentieren ein Gib deine Website-URL ein (optional) Meinen Namen, meine E-Mail-Adresse und meine Website in diesem Browser für die nächste Kommentierung speichern.
Ultra-Broadband THz Transition from CPW to Si Rod Waveguide for Future Tbps On-Chip Communications 7. Oktober 2022