First comparison of rhodium- and iron-doped InGaAs photoconductive THz emitters for continuous-w Beitrags-Autor:admin Beitrag veröffentlicht:1. Oktober 2022 Beitrags-Kategorie:Publications Beitrags-Kommentare:0 Kommentare Chris Phong Van Nguyen, M. Deumer, S. Lauck, S. Breuer, L. Liebermeister, B. Globisch, M. Schell, R Das könnte dir auch gefallen Hybrid Multi-Phase Fresnel Lenses on Silicon Wafers for Terahertz Frequencies 11. April 2023 THz topological resonator at 600GHz 3. Mai 2023 Structural, optical, and mechanical properties of silicon nitride films deposited by inductively coupled plasma enhanced chemical vapor deposition 7. Oktober 2022 Schreibe einen Kommentar Antwort abbrechenKommentarGib deinen Namen oder Benutzernamen zum Kommentieren ein Gib deine E-Mail-Adresse zum Kommentieren ein Gib deine Website-URL ein (optional) Meinen Namen, meine E-Mail-Adresse und meine Website in diesem Browser für die nächste Kommentierung speichern.
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