First comparison of rhodium- and iron-doped InGaAs photoconductive THz emitters for continuous-w Beitrags-Autor:admin Beitrag veröffentlicht:1. Oktober 2022 Beitrags-Kategorie:Publications Beitrags-Kommentare:0 Kommentare Chris Phong Van Nguyen, M. Deumer, S. Lauck, S. Breuer, L. Liebermeister, B. Globisch, M. Schell, R Das könnte dir auch gefallen Structural, optical, and mechanical properties of silicon nitride films deposited by inductively coupled plasma enhanced chemical vapor deposition 7. Oktober 2022 Phase profile optimization of silicon multi-phase zone plate lenses for operation at 585 GHz frequency 26. September 2022 Low Loss Topological Silicon Valley Photonic Crystal waveguides in Terahertz regime 3. Mai 2023 Schreibe einen Kommentar Antwort abbrechenKommentarGib deinen Namen oder Benutzernamen zum Kommentieren ein Gib deine E-Mail-Adresse zum Kommentieren ein Gib deine Website-URL ein (optional) Name, E-Mail-Adresse und Website in diesem Browser für meinen nächsten Kommentar speichern.
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