First comparison of rhodium- and iron-doped InGaAs photoconductive THz emitters for continuous-w Beitrags-Autor:admin Beitrag veröffentlicht:1. Oktober 2022 Beitrags-Kategorie:Publications Beitrags-Kommentare:0 Kommentare Chris Phong Van Nguyen, M. Deumer, S. Lauck, S. Breuer, L. Liebermeister, B. Globisch, M. Schell, R Das könnte dir auch gefallen Structural, optical, and mechanical properties of silicon nitride films deposited by inductively coupled plasma enhanced chemical vapor deposition 7. Oktober 2022 Broadband THz Interconnect for Hybrid Integration of InP and Si Platforms 28. August 2022 Integrated Ultra-Broadband THz Photodiode with Silicon-photonic Waveguide Interfaces 3. Mai 2023 Schreibe einen Kommentar Antworten abbrechenKommentierenGib deinen Namen oder Benutzernamen zum Kommentieren ein Gib deine E-Mail-Adresse zum Kommentieren ein Gib deine Website-URL ein (optional) Meinen Namen, meine E-Mail-Adresse und meine Website in diesem Browser für die nächste Kommentierung speichern.
Structural, optical, and mechanical properties of silicon nitride films deposited by inductively coupled plasma enhanced chemical vapor deposition 7. Oktober 2022