First comparison of rhodium- and iron-doped InGaAs photoconductive THz emitters for continuous-w Beitrags-Autor:admin Beitrag veröffentlicht:1. Oktober 2022 Beitrags-Kategorie:Publications Beitrags-Kommentare:0 Kommentare Chris Phong Van Nguyen, M. Deumer, S. Lauck, S. Breuer, L. Liebermeister, B. Globisch, M. Schell, R Das könnte dir auch gefallen 10 Times Lower Power Requirement Sub- Millimeter Wave Receivers Operating at Room Temperatures 3. Mai 2023 Hybrid Multi-Phase Fresnel Lenses on Silicon Wafers for Terahertz Frequencies 11. April 2023 Broadband THz Interconnect for Hybrid Integration of InP and Si Platforms 28. August 2022 Schreibe einen Kommentar Antwort abbrechenKommentarGib deinen Namen oder Benutzernamen zum Kommentieren ein Gib deine E-Mail-Adresse zum Kommentieren ein Gib deine Website-URL ein (optional) Name, E-Mail-Adresse und Website in diesem Browser für meinen nächsten Kommentar speichern.
10 Times Lower Power Requirement Sub- Millimeter Wave Receivers Operating at Room Temperatures 3. Mai 2023